11月25日，国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心(以下简称“研发中心”)技术交流会暨专家会议在无锡召开。研发中心主任，国核铀业党委委员、副总经理吕银龙，国家核电、国核铀业相关领导，半导体行业专家、企业代表人员参加会议。

吕银龙指出研发中心在国家原子能机构、国核铀业以及行业单位的共同支持下，依靠自主创新，现已完成了具有自主知识产权的国产化功率芯片质子辐照生产线的建设，顺利实现了首批产品交付。未来，研发中心将继续推进核技术应用与半导体技术深度融合，打造新质生产力，助力我国功率芯片产业升级。

会议期间，核力创芯副总经理王婉琳就功率半导体质子辐照(氢离子注入)技术研究及应用作了专题汇报;与会人员研讨交流了功率芯片质子辐照工艺研发过程中的技术难点痛点问题，为研发中心下一步建设建言献策。

会前，与会专家及企业代表一行参观了研发中心和生产基地，了解了功率芯片质子辐照生产线建设运行情况。

国核铀业核技术部及核力创芯相关人员参加本次会议。