科学家们早就知道，将细胞暴露在高剂量的电离辐射下，会产生双链断裂，导致DNA的外部片段进入，从而产生突变。这些外来的DNA片段可能发生在细胞核中，是自然过程(如基因组DNA修复和病毒感染)遗留下来的。在新的研究中，研究人员调查了低剂量的电离辐射是否对实验室培养的人和小鼠细胞生长有有害副作用。当他们计算细胞了外源DNA，他们发现常见的诊断手段中使用的低剂量的辐射也会甚至会比高剂量辐射更有效的通过插入DNA造成基因突变。
普通的医学成像程序使用低剂量的辐射，据信是安全的。然而，一项新的研究发现，在人类细胞培养中，这些剂量会产生DNA断裂，使额外的DNA片段整合到染色体中。伊拉斯谟大学医学中心的Roland Kanaar和Alex Zelensky及其同事在近日出版的《PLOS Genetics》上报告了这些新发现。
科学家们早就知道，将细胞暴露在高剂量的电离辐射下，会产生双链断裂，导致DNA的外部片段进入，从而产生突变。这些外来的DNA片段可能发生在细胞核中，是自然过程(如基因组DNA修复和病毒感染)遗留下来的。在新的研究中，研究人员调查了低剂量的电离辐射是否对实验室培养的人和小鼠细胞生长有有害副作用。当他们计算细胞了外源DNA，他们发现常见的诊断手段中使用的低剂量的辐射也会甚至会比高剂量辐射更有效的通过插入DNA造成基因突变。
